Dans les sociétés modernes, une quantité substantielle d'énergie électrique est nécessaire pour faire fonctionner les circuits électroniques ou les commandes électriques contrôlées. La nécessité de fournir de l'énergie électrique à ces applications est satisfaite en utilisant des convertisseurs électroniques de puissance. Les semiconducteurs de puissance (IGBT ou MOSFET) sont des appareils contrôlés qui sont utilisés pour réaliser ces convertisseurs. Même si l'industrie des semiconducteurs a effectué des progrès significatifs dans le développement de composants puissants et efficaces, des pertes de puissance se produisent encore dans ces composants et engendrent leur surchauffe.
Ce guide étape par étape décrit le concept de base du test d'impulsion double (DPT) et la configuration de mesure nécessaire, puis fournit une vue d'ensemble des paramètres influençant la mesure. D'autre part, des astuces pratiques pour la réalisation des mesures sont présentées.