Der verstärkte Einsatz von Halbleitern mit großer Bandlücke wie Galliumnitrid (GaN) und Siliziumkarbid (SiC) in Leistungswandlern hat die Entwicklung von Stromversorgungen mit hoher Leistungsdichte ermöglicht, die mit geringen Schaltverlusten und einem höheren Wirkungsgrad arbeiten. Allerdings können die Vorteile dieser schnell schaltenden Transistoren in Leistungswandlern begrenzt sein, wenn parasitäre Effekte, die bei hohen Frequenzen auftreten, außer Acht gelassen werden.
Das White Paper bietet eine Einführung in parasitäre Effekte sowie eine Beschreibung solcher Störeffekte in passiven Bauelementen wie Kondensatoren, Induktivitäten und Widerständen. Abschließend beschreiben wir die grundlegende Funktionsweise eines LCR-Messgeräts und demonstrieren die Verwendung des R&S®LCX200 LCR-Meters.