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The R&S®RT-ZISO isolated probing system sets new standards for isolated probe technology. The innovative solution delivers unparalleled accuracy, sensitivity, dynamic range and bandwidth, while enabling next-generation wide bandgap (WBG) SiC and GaN power designs. The remarkable performance at the core of the solution provides precise differential measurements up to ±3000 V on reference voltage levels of ±60 kV with rise time of < 450 ps. Most importantly, the solution can suppress fast common mode signals that distort and disturb accurate measurements.
R&S®RT-ZISO Isolated Probing System - Fact Sheet Brochures and Data Sheets
R&S®RT-ZISO Isolated Probing System versus Tektronix IsoVu TIVP - Comparison Sheet Brochures and Data Sheets
Высокое напряжение. Оптическая развязка. Удобный интерфейс.
Haute tension. Isolement optique. Interface fluide.
R&S®RT-ZISO 絶縁プロービング・システムは、絶縁プローブテクノロジーの新しい基準を打ち立てます。この革新的なソリューションは、比類ない確度、感度、ダイナミックレンジ、帯域幅を実現しており、次世代のワイドバンドギャップ(WBG)半導体であるSiCやGaNベースの電源設計を可能にします。ソリューションの中核として優れた性能を提供しており、立ち上がり時間が450 ps未満、基準電圧レベルが±60 kVの電圧について最大±3,000 Vまで正確な差動測定を実行できます。加えて、このソリューションにより、正確な測定を阻害する高速なコモンモード信号を抑制できます。
Alta tensión. Aislamiento óptico. Conexión directa.
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This document provides the technical specifications of the R&S®RT-Zxx high voltage and current probes
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