Nelle società moderne, è richiesta una quantità sostanziale di energia elettrica per far funzionare circuiti elettronici o azionamenti elettrici controllati. Il requisito di fornire energia elettrica a queste applicazioni è soddisfatto attraverso l'uso di convertitori elettronici di potenza. I semiconduttori di potenza (IGBT o MOSFET) sono dispositivi controllati che vengono utilizzati per realizzare questi convertitori. Sebbene l'industria dei semiconduttori abbia compiuto progressi significativi nello sviluppo di componenti potenti ed efficienti, le perdite di potenza si verificano ancora in questi componenti e ne causano il surriscaldamento.
Questa guida passo dopo passo descrive l'approccio di base del test a doppio impulso (DPT) e la configurazione necessaria per la misura, oltre a una panoramica dei parametri che influenzano la misura stessa. Inoltre, vengono illustrati dei suggerimenti pratici per l'esecuzione delle misure.