Otimização de tensões de comutação de portal com relação à emissão de EMI
Uma fonte de emissões de EMI em circuitos de eletrônica de potência é a ponte MOSFET de comutação rápida. A modificação da tensão de acionamento de porta dos transistores de comutação é uma forma simples de reduzir a EMI. Isso requer medição paralela da tensão de acionamento de porta, do sinal de saída e da radiação emitida, bem como do respectivo espectro.
Na figura abaixo, vários sinais de acionamento de uma ponte MOSFET e seu efeito sobre a radiação emitida são analisados. Em (1), um sinal de acionamento de porta retangular foi aplicado, enquanto em (2), um sinal de acionamento de porta retangular de dois níveis foi usado (verde). O monitoramento paralelo da emissão de EMI com uma ponta de prova de campo próximo mostra claramente que este é um método eficaz: a amplitude dos componentes de alta frequência no sinal de EMI (vermelho) é reduzida com eficiência.
A EMI de uma ponte MOSFET (vermelha) é significativamente reduzida otimizando a tensão de acionamento de porta (verde). Um sinal de acionamento de porta retangular foi usado em (1), enquanto um sinal de acionamento de porta de dois níveis modificado foi aplicado em (2). © IFE Graz University of Technology, Áustria