El aumento del uso de semiconductores de banda prohibida ancha, como el nitruro de galio (GaN) y el carburo de silicio (SiC), en los convertidores de potencia ha permitido crear fuentes de alimentación de alta densidad que operan con bajas pérdidas por conmutación y mayor eficiencia. Sin embargo, las ventajas de estos transistores de conmutación rápidos utilizados en los convertidores de potencia pueden verse limitadas si no se tienen en cuenta los efectos de elementos parásitos que aparecen a altas frecuencias.
Este informe técnico ofrece una introducción a los elementos parásitos y una descripción de los mismos en componentes pasivos como condensadores, inductores y resistencias. De forma complementaria, se describe la operación básica de un medidor LCR y se ilustra una demostración de cómo utilizar el medidor LCR R&S®LCX200.