Präzise Doppelpulstests mit dem R&S®RT-ZISO isolierten Tastkopfsystem
Doppelpulstests (DPT) sind entscheidend für die Bewertung des Schaltverhaltens von Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFET), Bipolartransistoren mit isolierter Gate-Elektrode (IGBT) und Wide-Bandgap-(WBG)-Leistungshalbleitern. Die Spannungsanstiegsraten von Schaltbauelementen nehmen weiter zu, insbesondere bei High-Side-Leistungstransistoren, wo durch den Bezugspunkt auf dem Schaltknoten eine schnell wechselnde Gleichtaktspannung entsteht. Aufgrund ihres bei höheren Frequenzen begrenzten Gleichtaktunterdrückungsverhältnisses haben konventionelle differenzielle Hochspannungstastköpfe Schwierigkeiten, gute Messergebnisse zu erzielen.