Test de double impulsion précis avec le système de sondage isolé R&S®RT-ZISO
Le test de double impulsion (DPT) est essentiel pour l'évaluation du comportement en commutation pour des transistors à effet de champ à semi-conducteur à oxyde métallique (MOSFET), des transistors bipolaires à grille isolée (IGBT) et des dispositifs à semi-conducteurs de puissance à large bande interdite . La vitesse de balayage des dispositifs de commutation augmente, en particulier sur le transistor de puissance côté haut où la référence des nœuds de commutation crée un environnement rapide en mode commun. Les sondes différentielles haute tension conventionnelles ont des difficultés à obtenir une bonne mesure avec leur taux de réjection de mode commun limité à des fréquences plus élevées.