La sociedad avanzada requiere una gran cantidad de energía eléctrica para hacer funcionar circuitos electrónicos o accionamientos eléctricos controlados. Para satisfacer la demanda de suministro de energía eléctrica para estas aplicaciones se utilizan convertidores de potencia electrónicos. Los semiconductores de potencia (IGBT o MOSFET) son dispositivos controlados empleados para desarrollar este tipo de convertidores. A pesar de que el sector de los semiconductores ha progresado de forma notable en el desarrollo de componentes de alta potencia y eficiencia, todavía se produce disipación de potencia en estos componentes, lo que puede provocar un recalentamiento.
Esta guía paso a paso describe el concepto básico de los ensayos de doble pulso (DPT) y el sistema de medida necesario, y proporciona un resumen de los parámetros que influyen en la medida. Asimismo, ofrece consejos prácticos para ejecutar las medidas.