Ensayos de doble pulso de alta precisión con el sistema de sondeo con aislamiento R&S®RT-ZISO
Los ensayos de doble pulso (DPT, por sus siglas en inglés) son esenciales para evaluar el comportamiento de conmutación en transistores de efecto de campo metal-óxido semiconductor (MOSFET), transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) y dispositivos semiconductores de potencia de banda prohibida ancha (WBG). La velocidad de cambio de los dispositivos de conmutación no deja de aumentar, especialmente en el transistor de potencia del lado alto, donde la referenciación a los nodos de conmutación crea un entorno de modo común rápido. Las sondas diferenciales de alta tensión convencionales tienen dificultades para obtener buenas medidas con su factor de rechazo en modo común (CMRR) limitado a frecuencias más altas.