Mesure de RDS(on) avec des oscilloscopes haute définition
Le RDS(on) des transistors MOSFET est un paramètre clé pour déterminer la perte de conduction dans les applications d'alimentation à découpage et requiert donc un intérêt particulier. Quand un MOSFET de commutation est désactivé, il a une tension drain / source élevée, mais lorsqu'il est allumé, la tension chute à seulement quelques centaines de millivolts. Un oscilloscope haute résolution est nécessaire pour mesurer ces tensions faibles. La compensation de sonde et une technique de détection correcte sont également vitales pour garantir des mesures précises de RDS(on).