Misurare la RDS(on) con oscilloscopi ad alta definizione
La resistenza RDS (on) dei MOSFET è un parametro chiave per determinare la perdita di conduzione in applicazioni di alimentazione a commutazione ed è, quindi, di particolare interesse. Quando un MOSFET di commutazione è spento, presenta una tensione drain-source elevata, ma quando viene attivato la tensione scende a poche centinaia di millivolt. Per misurare tensioni così basse è necessario un oscilloscopio ad alta risoluzione. La compensazione della sonda e una misura corretta sono, inoltre, di vitale importanza per effettuare misure accurate della RDS (on).