Ottimizzazione delle tensioni di pilotaggio del gate relativamente alle emissioni EMI
Una sorgente di emissioni EMI nei circuiti elettronici di potenza è il ponte a MOSFET con elevata velocità di commutazione. La modifica della tensione di pilotaggio del gate dei transistor di commutazione è una modalità semplice per ridurre le interferenze elettromagnetiche. Ciò richiede l'esecuzione in parallelo di una misura della tensione di pilotaggio del gate, del segnale di uscita e della radiazione emessa, nonché del loro spettro.
Nella figura seguente sono analizzati vari segnali di pilotaggio di un ponte a MOSFET e il loro effetto sulla radiazione emessa. Nella figura (1) è stato applicato un segnale di pilotaggio del gate rettangolare, mentre nella figura (2) è stato utilizzato un segnale di pilotaggio del gate rettangolare a due livelli (verde). Il monitoraggio parallelo delle emissioni EMI con una sonda in campo vicino mostra chiaramente che il metodo scelto per ridurre le interferenze è efficace: l’ampiezza dei componenti ad alta frequenza nel segnale EMI (rosso) si è notevolmente ridotta.
L'interferenza elettromagnetica generata da un ponte a MOSFET (rosso) è stata significativamente ridotta ottimizzando la forma della tensione di pilotaggio del gate (verde). Nella figura (1) è stato utilizzato un segnale di pilotaggio del gate rettangolare, mentre nella figura (2) è stato applicato un segnale di pilotaggio modificato a due livelli. © IFE Politecnico di Graz, Austria