パワーコンバーターにおいて窒化ガリウム（GaN）や炭化ケイ素（SiC）などのワイドバンドギャップ半導体の利用が増加するのに伴い、低いスイッチング損失と高い効率で動作するパワー密度の高い電源を実現できるようになりました。しかし、高周波で発生する寄生効果を考慮しないと、パワーコンバーター内部で使用されるこのような高速スイッチングトランジスタの利点が制限されてしまう可能性があります。
このホワイトペーパーでは、寄生成分の基本と、キャパシタ、インダクター、抵抗などのパッシブコンポーネント内の寄生成分について説明します。最後に、LCRメータの基本動作について解説し、R&S®LCX200 LCRメータの実際の使い方を紹介します。