Оптимизация управляющего напряжения строба применительно к излучению ЭМП
Одним из источников излучений ЭМП в цепях силовой электроники является мост MOSFET с малым временем переключения. Простой способ снизить ЭМП — изменить управляющее напряжение строба для переключающих транзисторов. Это требует параллельного измерения управляющего напряжения строба, выходного сигнала и испускаемого излучения, а также их спектра.
На приведенном ниже рисунке показаны различные задающие сигналы моста MOSFET и анализируется их влияние на испускаемое излучение. В случае (1) был подан прямоугольный управляющий сигнал строба, тогда как в случае (2) использовался каскадный двухуровневый прямоугольный управляющий сигнал строба (зеленого цвета). Параллельный мониторинг излучения ЭМП с помощью пробника ближнего поля отчетливо показывает, что этот метод эффективен: амплитуда высокочастотных составляющих сигнала ЭМП (красного цвета) значительно снижается.
ЭМП моста MOSFET (красного цвета) существенно снижается за счет оптимизации управляющего напряжения строба (зеленого цвета). В случае (1) использовался прямоугольный управляющий сигнал строба, тогда как в случае (2) использовался модифицированный двухуровневый управляющий сигнал строба. © IFE Graz University of Technology, Austria