Оптимизация полупроводниковых переключателей с широкой запрещенной зоной для соответствия требованиям по ЭМП

Соответствие по ЭМП — главная проблема для передовой силовой электроники из-за возрастания скоростей переключения. Измерения с корреляцией времени и частоты помогают оптимизировать управление стробом и минимизировать электромагнитное излучение уже во время разработки.

Измерительная задача

Использование материалов с широкой запрещенной зоной, таких как карбид кремния (SiC) и нитрид галлия (GaN), обеспечивает высокие частоты переключения и резко нарастающие фронты, а также высокие напряжения. Эти характеристики повышают эффективность переключения источников питания и делают более перспективным выполнение требований на соответствие по ЭМП. Соблюдение принципов проектирования для уменьшения ЭМП столь же важно, как и испытания и оптимизация для соответствия по ЭМП на фазе разработки.

Решение компании Rohde & Schwarz

Осциллографы — высокоэффективные инструменты, применяемые инженерами-электриками для решения ежедневных задач. Чувствительность и производительность современных осциллографов обеспечивают возможность выполнения задач по оптимизации ЭМП на фазе разработки нового продукта. Полезные функции осциллографов от компании Rohde & Schwarz — прямой ввод полосы разрешения и частоты, а также поддержание высокой частоты дискретизации . При использовании с компактным комплектом пробников для измерения электрического и магнитного поля в ближней зоне R&S®HZ-15, а также c компактным комплектом пробников для измерения магнитного поля в ближней зоне R&S®HZ-17 (оба с полосой пропускания 3 ГГц), осциллограф легко определяет источник и тракт передачи нежелательных излучений на печатной плате.

Оконная функция БПФ помогает определять, какие сегменты сигнала временной области с какими событиями в спектре коррелируют.
Открытый Lightbox

Применение

Оконная функция БПФ для анализа с корреляцией времени и частоты

Для расширенного анализа, например, корреляции между сигналами во временной и частотной областях, важное значение имеет оконная функция БПФ для осциллографов R&S®RTE1000 и R&S®RTO6. Эта функция ограничивает анализ спектра определенным пользователем участком захваченного сигнала временной области.

В результате избыточные спектральные излучения могут коррелировать с выделенными временными периодами непрерывного сигнала. Во время испытаний на ЭМП это не только помогает идентифицировать источник нежелательных электромагнитных излучений по сигналам временной области, но также обеспечивает возможность проведения прямых испытаний в различных сценариях эксплуатации.

Оптимизация применения решений с широкой запрещенной зоной
ЭМП моста MOSFET (красного цвета) существенно снижается за счет оптимизации управляющего напряжения строба (зеленого цвета). В случае (1) использовался прямоугольный управляющий сигнал строба, тогда как в случае (2) использовался модифицированный двухуровневый управляющий сигнал строба. © IFE Graz University of Technology, Austria
Открытый Lightbox

Оптимизация управляющего напряжения строба применительно к излучению ЭМП

Одним из источников излучений ЭМП в цепях силовой электроники является мост MOSFET с малым временем переключения. Простой способ снизить ЭМП — изменить управляющее напряжение строба для переключающих транзисторов. Это требует параллельного измерения управляющего напряжения строба, выходного сигнала и испускаемого излучения, а также их спектра.

На приведенном ниже рисунке показаны различные задающие сигналы моста MOSFET и анализируется их влияние на испускаемое излучение. В случае (1) был подан прямоугольный управляющий сигнал строба, тогда как в случае (2) использовался каскадный двухуровневый прямоугольный управляющий сигнал строба (зеленого цвета). Параллельный мониторинг излучения ЭМП с помощью пробника ближнего поля отчетливо показывает, что этот метод эффективен: амплитуда высокочастотных составляющих сигнала ЭМП (красного цвета) значительно снижается.

ЭМП моста MOSFET (красного цвета) существенно снижается за счет оптимизации управляющего напряжения строба (зеленого цвета). В случае (1) использовался прямоугольный управляющий сигнал строба, тогда как в случае (2) использовался модифицированный двухуровневый управляющий сигнал строба. © IFE Graz University of Technology, Austria

Дальнейшие действия по оптимизации

Для определения оптимального управляющего напряжения строба должны анализироваться дополнительные параметры. Важный показатель — потери при переключении, которые могут увеличиваться при изменении сигналов управления стробом. Для измерений потерь при переключении необходимы токовые пробники и высоковольтные дифференциальные пробники с необходимыми характеристиками, важнейшими из которых являются максимальные значения напряжения и тока, а также полоса пропускания. Искажения сигналов тока и напряжения должны быть устранены во избежание ошибок измерений потерь при переключении:

  • Высоковольтные дифференциальные пробники R&S®RT-ZHD идеально подходят для полупроводников с малым временем переключения. Они поддерживают полосу пропускания до 200 МГц и максимальные измеряемые напряжения от 750 В до 6 кВ в сочетании с высокой степенью степени подавления синфазного сигнала.
  • Токовые пробники R&S®RT-ZC позволяют измерять ток в диапазоне от 5 А (СКЗ) с полосой пропускания 2 МГц до 500 А (СКЗ) с полосой пропускания 120 МГц.
  • Испытательное приспособление для устранения искажений питания и калибровки R&S®RT-ZF20 компенсирует дифференциальную задержку между пробниками тока и напряжения. Необходимо точно измерить потери при переключении.

Заключение

Быстродействующая и гибкая функция БПФ осциллографов от компании Rohde & Schwarz поддерживает детальные испытания на ЭМП для силовой электроники уже на фазе разработки современных электронных устройств. Усовершенствованный пользовательский интерфейс большого сенсорного экрана осциллографа R&S®RTO6 позволяет задавать и менять настройки БПФ с помощью всего лишь нескольких жестов. В сочетании с пробниками ближнего поля и высоковольтными дифференциальными или токовыми пробниками возможна полная оптимизация цепей силовой электроники без необходимости использования дополнительных испытательных инструментов. Это ускоряет разработку устройств силовой электроники и помогает успешно проходить квалификационные испытания этих устройств на ЭМС.

Связанные решения

Запросить информацию

Do you have questions or need additional information? Simply fill out this form and we will get right back to you.
For service/support requests, please go here to log in or register.

Ваш запрос отправлен. Мы свяжемся с вами в ближайшее время.
An error is occurred, please try it again later.