Проблема с коммутацией затворов
В целях повышения эффективности и быстродействия трансмиссий вместо биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) все чаще применяются транзисторы с широкой запрещенной зоной (например, на основе карбида кремния), поскольку они обеспечивают более быструю коммутацию. Что еще важнее, данные транзисторы имеют пониженное динамическое сопротивление в открытом состоянии, что улучшает проводимость.
Ускорение фронтов нарастания и спада импульсов представляет собой проблему для разработчиков, т. к. оно может привести к появлению ЭМП в системе. Паразитные сигналы могут усиливать выбросы и вызывать нежелательные прострелы, если открыты оба затвора — на стороне высокого напряжения и на стороне низкого напряжения. Для транзисторных и инверторных схем требуется дополнительный временной анализ.
Цифровой запуск в серии MXO очень удобен для обнаружения сбоев в затворах транзисторов. В 18-разрядном режиме высокой четкости возможен прецизионный запуск на осциллограмме, при этом высокая чувствительность запуска помогает проводить отладку схемы. Быстрое БПФ помогает выявлять электромагнитные помехи и улучшать фильтры схемы.