Herausforderungen durch schnelles Schalten der Gates
Um einen höheren Wirkungsgrad und schnellere Reaktionen des Antriebsstrangs zu erreichen, stellt die Branche allmählich von traditionellen Designs auf Basis von Bipolartransistoren mit isolierter Gate-Elektrode (IGBT) auf Transistoren mit großer Bandlücke um, sog. Wide-Bandgap-Transistoren (z. B. Siliziumcarbid; SiC), die schnellere Schaltvorgänge ermöglichen. Vor allem aber bieten diese Transistoren einen niedrigeren dynamischen Einschaltwiderstand und tragen so zur Effizienzsteigerung bei.
Schnellere steigende und fallende Flanken stellen eine Design-Herausforderung dar, da sie EMI-Rauschen in ein System einführen können. Parasitäre Signale können Ringing-Effekte verstärken und schädliche Shoot-Through-Ereignisse verursachen, wenn Highside- und Lowside-Gates gleichzeitig aktiviert werden. Für die Transistoren und Wechselrichterschaltungen ist eine zusätzliche Zeitanalyse erforderlich.
Der digitale Trigger der MXO Serie ist äußerst hilfreich zum Aufspüren von Störspitzen in den Transistor-Gates. Die 18-bit-HD-Auflösung erleichtert dank hochgenau triggerbarer Messkurve mit ausgezeichneter Trigger-Empfindlichkeit die Fehlersuche an Designs. Die schnelle FFT hilft beim Erkennen von EMI-Emissionen und ermöglicht bessere Schaltungsfilterdesigns.