La creciente utilización de semiconductores de banda prohibida ancha (WBG) como el nitruro de galio (GaN) y el carburo de silicio (SiC) en los convertidores de potencia ha permitido obtener fuentes de poder de alta densidad que funcionan con bajas pérdidas por conmutación, además de proporcionar una mayor eficiencia. Sin embargo, las ventajas de estos transistores de conmutación rápida que se utilizan en los convertidores de potencia pueden verse limitadas si no se consideran los efectos de los componentes parasitarios que aparecen a altas frecuencias.
El informe técnico ofrece una introducción a los componentes parasitarios, así como su descripción en componentes pasivos, como condensadores, inductores y resistencias. Por último, describimos el funcionamiento básico de un medidor LCR, así como también demostraremos cómo utilizar el medidor LCR R&S®LCX200.