Optimisation des tensions du fenêtrage temporel en respectant l'émission EMI
Une source d'émissions EMI dans des circuits électroniques de puissance peut être un pont MOSFET à commutation rapide. La modification de la tension de fenêtrage des transistors de commutation est un moyen simple de réduire les EMI. Cela nécessite les mesures parallèles de la tension de fenêtrage, du signal de sortie et du rayonnement émis, ainsi que de leur spectre.
Sur la figure ci-dessous, divers signaux d'un pont MOSFET et leurs effets sur la radiation émise sont analysés. En (1) c'est un signal rectangulaire de fenêtrage temporel qui a été appliqué, alors qu'en (2) c'est un signal rectangulaire de fenêtrage temporel à deux niveaux en cascade qui a été utilisé (vert). La surveillance parallèle des émissions EMI avec une sonde de champ proche met clairement en évidence qu'il s'agit d'une méthode efficace : l'amplitude des composants haute fréquence dans le signal EMI (rouge) est réduite efficacement.
L'EMI d'un pont MOSFET (rouge) est réduit significativement en optimisant la tension de fenêtrage temporel (vert). Un signal rectangulaire de fenêtrage temporel a été utilisé en (1), alors qu'un signal modifié à deux niveaux de fenêtrage a été appliqué en (2). Université de technologie © IFE Graz, Autriche