パワーエレクトロニクス・システムがデジタル処理基板上にある場合、論理回路の課題とは異なるものの同種の問題に直面します。これらの問題には、デザインの決定に影響を与えるトレードオフが含まれます。パワーエレクトロニクスコンバーターのワイドバンドギャップ半導体、例えば窒化ガリウム（GaN）や炭化ケイ素（SiC）には次のような利点があります：
しかし、使用されるスイッチング周波数が上昇すると、パワーコンバーター内で寄生成分が発生する可能性も増大します。
信頼性は、パワーエレクトロニクス回路のクリティカルな要件です。電源回路に障害が起きれば、デバイスは動作しなくなります。高い効率により、発熱の原因となるエネルギー損失を最小限に抑えれば、信頼性の向上に役立ちます。最も効率的なパワーエレクトロニクス回路でも発熱するので、十分な放熱設計と適切な材料選択が不可欠です。パワーエレクトロニクス回路は、EMI要件にも適合する必要があります。エミッションは、そのデバイスと近隣のデバイスの双方に影響を与えます。
標準化団体のUSB Implementers Forum（USB-IF）は、ローデ・シュワルツのUSB 3.2 Gen 1およびGen 2トランスミッタ/レシーバ適合性テストソリューションが同団体の定める厳格な要件を満たしていることを認め、これを承認しました。USB-IFの公式な認証に向けて準備を進めているUSBデバイスメーカーの皆様には、このテストソリューションで得られる試験結果の正確さと確実性に全幅の信頼をお寄せいただけます。
