Pruebas precisas de doble pulso con el sistema de sondeo con aislamiento R&S®RT-ZISO
Las pruebas de doble pulso (DPT) son fundamentales para evaluar el comportamiento de conmutación de los transistores de efecto de campo metal-óxido semiconductor (MOSFET), los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) y los dispositivos semiconductores de potencia de banda prohibida ancha (WBG). La velocidad de rotación de los dispositivos de conmutación está en aumento, especialmente en los transistores de potencia de lado alto, en donde al referenciar los nodos de conmutación se crea un rápido entorno de modo común. Las sondas diferenciales convencionales de alto voltaje tienen dificultades al momento de obtener una medición exacta debido a su factor de rechazo en modo común a frecuencias mayores.