Optimización de voltajes de excitación de puertas con respecto a las emisiones EMI
Una fuente de emisiones EMI en los circuitos de electrónica de potencia es el puente de conmutación rápida MOSFET. Modificando el voltaje de excitación de puerta de los transistores de conmutación es una manera directa para reducir las EMI. Esto requiere de mediciones paralelas del voltaje de excitación de la puerta, de la señal de salida y de la radiación emitida, así como de sus espectros.
En la figura inferior, se analiza varias señales de excitación de un puente MOSFET y su efecto en las emisiones radiadas. En (1) se aplicó una señal de excitación de puerta rectangular, mientras que en (2) se usó una señal de excitación de puerta rectangular en cascada de dos niveles (en verde). El monitoreo en paralelo de la emisión EMI con una sonda de campo cercano muestra claramente la efectividad de este método: la amplitud de los componentes de alta frecuencia en la señal EMI (en rojo) se ve reducida de forma efectiva.
La EMI de un puente MOSFET (en rojo) se ve disminuido significativamente al optimizar el voltaje de excitación de puerta (en verde). Se utilizó una señal de excitación de puerta rectangular en (1), mientras que en (2) se utilizó una señal de excitación de puerta modificada de dos niveles. © IFE Universidad Tecnológica de Graz, Austria